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MPS4SENS熱釋電紅外探測器

簡要描述:MPS4SENS熱釋電紅外探測器:傳感器特性包括 2 - 15 µm 的寬光譜響應(yīng)(優(yōu)化范圍為 3 - 5 µm)、高達(dá) 100 Hz 的調(diào)制頻率的高靈敏度、由于膜片質(zhì)量小而麥克風(fēng)效應(yīng)低、非常低的溫度依賴性以及以電流模式放大的信號。

  • 產(chǎn)品品牌:Micro-Hybrid
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-09-26
  • 訪  問  量:217

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詳細(xì)介紹

品牌Micro-Hybrid應(yīng)用領(lǐng)域綜合

MPS4SENS 3C-1

MPS4SENS TEST

MPS4SENS NOX

MPS4SENS 3C-2

MPS4SENS anesthesia

描述

高靈敏度的熱電四探測器允許同時測量一氧化碳(CO)(CWL:4650 ± 40 nm,HBW:180 ± 20 nm)、二氧化碳(CO2)(CWL:4265 ± 25 nm,HBW:120 ± 10 nm)和碳化合物(CWL:3400 ± 20 nm,HBW:140 ± 20 nm),并帶有參考通道(CWL:3910 ± 28 nm,HBW:70 ± 10 nm)。該探測器可在 -20 至 85 °C 的環(huán)境溫度下用于航空航天、醫(yī)學(xué)、工業(yè)和環(huán)境技術(shù)中的眾多應(yīng)用。

Micro-Hybrid 是一家在 TO39 封裝中生產(chǎn)具有高性能膜的 4 通道熱電探測器的制造商。由于采用了由陶瓷熱電材料制成的薄膜膜片,MPS4SENS 3C-1 二氧化碳熱探測器實現(xiàn)了高達(dá) 4.0*10^8 cm·Hz^(1/2)/W 的非常高探測度和高達(dá) 200,000 V/W 的靈敏度。Micro-Hybrid 的探測器設(shè)計使得讀出速率高達(dá) 100 Hz,以及響應(yīng)時間短,從而在 NDIR 氣體分析中提供可靠的測量結(jié)果。

傳感器特性包括 2 - 15 µm 的寬光譜響應(yīng)(優(yōu)化范圍為 3 - 5 µm)、高達(dá) 100 Hz 的調(diào)制頻率的高靈敏度、由于膜片質(zhì)量小而麥克風(fēng)效應(yīng)低、非常低的溫度依賴性以及以電流模式放大的信號。

MPS4SENS 3C-1 二氧化碳探測器作為標(biāo)準(zhǔn)版本有現(xiàn)貨供應(yīng)。我們的銷售團(tuán)隊將很樂意與您討論可能的個性化定制,以及大訂單量的分級價格。

應(yīng)用

  • NDIR 氣體分析

  • 氣體監(jiān)測

產(chǎn)品優(yōu)勢

  • 更高的精度和信噪比

  • 由于內(nèi)部信號放大,對外部干擾不敏感

  • 由于低熱質(zhì)量,溫度波動的影響較小

  • 更高的讀出速率,高達(dá) 100 Hz

  • 響應(yīng)時間短

  • 高性能解決方案,適用于苛刻應(yīng)用

特點

  • 4片基于MEMS的CPM膜片

  • 寬光譜靈敏度為2 – 15 µm,優(yōu)化范圍為3 - 5 µm

  • 高響應(yīng)度,調(diào)制頻率高達(dá)100 Hz

  • 由于膜片質(zhì)量小,麥克風(fēng)效應(yīng)低

  • 非常低的溫度依賴性

  • 以電流模式放大的信號

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)

數(shù)據(jù)

單位

有效面積

4 x (0.7 x 0.7)

mm2

相對孔徑

4 x (1.5 x 1.5)

mm2

模式

Current


熱時間常數(shù) t(0-63%)

typ. 16

ms

電時間常數(shù) t(0-63%)

typ. 2

ms

交流靈敏度 1, 2, 3

typ. 200 000

V/W

噪聲密度電壓 1

typ. 50

μV/Hz1/2

噪聲等效功率 NEP 1, 2, 3

typ. 4 x 10^

W/Hz1/2

特定探測度 D* 1, 2, 3

typ. 4 x 10^

cmHz1/2/W

微音電壓 1

typ. < 1000

μV/g

濾光片

請參見文件“Infrared filters",可根據(jù)要求定制濾光片。

工作電壓 VDD

+5 ± 10 %

V DC

工作電壓 Voffset

+2,5 ± 10 %

V DC

工作電流

max. 10

mA

工作溫度

-25 ... +85

°C

外殼

TO39


1. 在 Tamb = 25 °C,10 Hz,帶寬 1 Hz 下

2. 黑體 T = 500 K;E = 38 W/m2

3. 無窗口影響

典型操作特性

電氣示意圖

電路

等效電路圖

機(jī)械制圖

底部

頂部

截面圖

產(chǎn)品概述

型號

類型

填充氣體

低溫度

最高溫度

相對孔徑

氣體

PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-D2/E1/F1/G2

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

3C with low CO?

concentration

PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-D2/E2/F1/G2

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

3C with low CO?

concentration

PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-I1/E1/M1/D2

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

Test

PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-I1/L1/H1/D5

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

NOX

PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-E1/K1/V1/W1

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

Anesthesia


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